SiC碳化硅是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。
相比傳統(tǒng)的硅材 料(Si)，碳化硅(SiC)的禁帶寬度是硅的3倍;導(dǎo)熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8-10倍;電子飽和漂移速率為硅的2-3倍。碳化硅原材料核心優(yōu)勢體現(xiàn)在:
1) 耐高壓特性:更低的阻抗、禁帶寬度更寬，能承受更大的電流和電壓，帶來更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計和更高 的效率;
2) 耐高頻特性:SiC器件在關(guān)斷過程中不存在電流拖尾現(xiàn)象，能有效提高元件的開關(guān)速度(大約是Si的3-10倍)，適用于更高頻率和更快的開關(guān)速度;
3) 耐高溫特性:SiC相較硅擁有更高的熱導(dǎo)率，能在更高溫度下工作。
知明碳化硅晶錠
從工藝流程上看;SiC粉經(jīng)過長晶、加工、切割、研磨、拋光、清洗環(huán)節(jié)最終形成襯底。
襯底經(jīng)過外延生長得到外延片。
外延片經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、沉積等步驟制造成器件。
將晶圓切割成die，經(jīng)過封裝得到器件，器件組合在一起放入特殊外殼中組裝成模組。
產(chǎn)業(yè)鏈包括上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造，下游是終端應(yīng)用。
碳化硅制成的功率器件根據(jù)電學(xué)性能差異分成兩類。
廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、5G通訊等領(lǐng)域。
按照電學(xué)性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅器件，兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。
導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成。
品種包括造肖特基二極管、 MOSFET、IGBT等，主要用于電動汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等基礎(chǔ)建設(shè)。 
半絕緣型碳化硅基射頻器件是通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片后進(jìn)一步制成，
包括HEMT等 氮化鎵射頻器件，主要用于5G通信、車載通信、國防應(yīng)用、數(shù)據(jù)傳輸、航空航天。
針對不同應(yīng)用領(lǐng)域的需求，知明科技計劃開發(fā)一系列具有針對性的碳化硅襯底材料產(chǎn)品。
從基礎(chǔ)的6英寸、8英寸襯底，到未來可能的更大尺寸襯底，以及針對不同摻雜濃度、不同晶體取向的定制化產(chǎn)品，我們力求實現(xiàn)產(chǎn)品線的全面覆蓋，滿足不同客戶的特定需求。
知明6寸碳化硅襯底 4H-N型
在快速發(fā)展的半導(dǎo)體材料行業(yè)中，知明科技立志成為碳化硅（SiC）襯底材料領(lǐng)域的領(lǐng)航者。
我們深知，隨著新能源汽車、5G通訊、高效能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等新興產(chǎn)業(yè)的蓬勃興起，對高性能、高可靠性半導(dǎo)體材料的需求日益增長。
因此，我們專注于碳化硅襯底材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，致力于滿足市場對更高效率、更高功率密度及更高工作溫度半導(dǎo)體器件的迫切需求。我們期望與全球范圍內(nèi)的科研機構(gòu)、上下游企業(yè)建立緊密的合作關(guān)系，共同推進(jìn)碳化硅襯底材料技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用。通過參加國際展會、建立海外銷售網(wǎng)絡(luò)等方式，加速產(chǎn)品國際化進(jìn)程，成為全球客戶信賴的合作伙伴。
知明碳化硅籽晶 4H
展望未來，知明科技將以碳化硅襯底材料為核心，通過技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品線拓展、綠色發(fā)展、全球合作以及人才培養(yǎng)等多維度策略，
致力于成為全球半導(dǎo)體材料行業(yè)中碳化硅襯底材料領(lǐng)域的佼佼者。我們相信，通過不懈努力，將為實現(xiàn)更加高效、綠色、智能的現(xiàn)代社會貢獻(xiàn)力量。 
