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半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

  • 4H-N/6H-N,4H/6H-P,SEMI,HPSI,3C 碳化硅襯底

    知明科技專注于碳化硅襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高科技企業(yè)。自成立以來，公司始終致力于推動半導(dǎo)體材料技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展，為全球客戶提供高品質(zhì)的碳化硅襯底產(chǎn)品。

    SiC碳化硅襯底在半導(dǎo)體中的應(yīng)用途徑多種多樣，不僅涵蓋了功率半導(dǎo)體器件、射頻器件等傳統(tǒng)領(lǐng)域，還拓展到了光電子器件、智能電網(wǎng)、新能源汽車等新興領(lǐng)域。隨著技術(shù)的不斷進步和市場的持續(xù)擴大，SiC碳化硅襯底的應(yīng)用前景將更加廣闊。

知明專業(yè)生產(chǎn)：供應(yīng) 4H-N/6H-N,4H/6H-P,SEMI,HPSI,3C 碳化硅襯底材料

知明核心產(chǎn)品之一的4H-N型碳化硅襯底，該產(chǎn)品具有優(yōu)異的電學(xué)性能和高純度，廣泛應(yīng)用于電力電子、射頻通信、光電子等領(lǐng)域。4H-N型碳化硅襯底采用先進的生產(chǎn)工藝，包括原料制備、晶體生長、切割加工等關(guān)鍵步驟，確保產(chǎn)品具有高度的均勻性和穩(wěn)定性。

 

知明碳化硅襯底生產(chǎn)

原料制備:

在半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)過程中，原料的純度是至關(guān)重要的。
為了確保最終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能，我們精選高純度的原料作為起始點。
這些原料通常來源于經(jīng)過嚴(yán)格篩選和提純的礦物或化合物，以確保其化學(xué)成分的純凈和穩(wěn)定。
在原料制備階段，我們采用一系列嚴(yán)格的化學(xué)處理步驟來進一步提純這些原料。
這些步驟可能包括溶解、沉淀、過濾、洗滌和干燥等，旨在去除任何可能存在的雜質(zhì)和污染物。

晶體生長：

晶體生長是半導(dǎo)體材料生產(chǎn)中的核心環(huán)節(jié)之一。
我們采用國際領(lǐng)先水平的晶體生長技術(shù)，通過精確控制生長環(huán)境參數(shù)，如溫度、壓力、氣氛和溶液濃度等，來確保晶體生長過程中的低缺陷率和高結(jié)晶質(zhì)量。
在晶體生長過程中，我們利用先進的生長設(shè)備和工藝，如提拉法、坩堝下降法或氣相外延法等，來引導(dǎo)和控制晶體的生長。
這些設(shè)備和工藝能夠精確地控制晶體的生長速率、形狀和尺寸，以及晶體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和缺陷分布。


切割加工：

我們采用高精度切割和加工設(shè)備來對晶體進行精細加工。
這些設(shè)備通常配備有先進的控制系統(tǒng)和傳感器，能夠精確地控制切割和加工過程中的各種參數(shù)，如切割速度、進給量和切削深度等。
通過精確控制這些參數(shù)，我們能夠確保每一塊襯底都符合客戶要求的尺寸和表面平整度。
在切割加工過程中，我們還采用了一系列先進的工藝和技術(shù)來確保產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。
例如，我們可能采用化學(xué)機械拋光（CMP）技術(shù)來對襯底表面進行精細拋光，以去除任何可能存在的劃痕、污染和缺陷。此外，我們還可能采用離子注入或激光刻蝕等技術(shù)來對襯底進行微加工或圖案化處理，以滿足客戶的特殊需求。

 
 
知明碳化硅襯底參數(shù)

 
規(guī)格參數(shù)Property 2 inch 3inch 4inch 6inch 8inch
類型
Type		  
4H-N/HPSI/4H-SEMI,
6H-N/6H-SEMI;		 4H-N/HPSI/4H-SEMI 4H-N/HPSI/4H-SEMI 4H-N/HPSI/4H-SEMI 4H-N/HPSI/4H-SEMI
直徑
Diameter		 50.8 ± 0.3 mm 76.2±0.3mm 100±0.3mm 150±0.3mm 200 ± 0.3 mm

厚度Thickness
 
 		 330 ± 25 um 350 ±25 um 350 ±25 um 350 ±25 um 350 ±25 um
350±25um； 500±25um 500±25um 500±25um 500±25um
or customized or customized or customized or customized or customized
粗糙度Roughness Ra ≤ 0.2nm Ra ≤ 0.2nm Ra ≤ 0.2nm Ra ≤ 0.2nm Ra ≤ 0.2nm
翹曲度
Warp		 ≤ 30um ≤ 30um ≤ 30um ≤ 30um ≤45um
總厚度偏差TTV ≤ 10um ≤ 10um ≤ 10um ≤ 10um ≤ 10um
表面質(zhì)Scratch/Dig CMP/MP
MPD <1ea/cm-2 <1ea/cm-2 <1ea/cm-2 <1ea/cm-2 <1ea/cm-2
形狀
Shape		 圓形, 帶定位邊
Round, Flat 16mm；OF length 22mm ;  OF Length 30/32.5mm;  OF Length47.5mm; NOTCH; NOTCH;
倒邊
Bevel		 45°, SEMI Spec; C Shape
級別
Grade		 Production grade for MOS&SBD; Research grade ; Dummy grade ,Seed wafer Grade
備注
Remarks		 直徑，厚度,晶向，可定制
Diameter, Thickness, Orientation, specifications above can be customized upon your request
 


知明碳化硅襯底供應(yīng)

知明專注于高端碳化硅（SiC）襯底材料的研發(fā)與生產(chǎn)，能夠穩(wěn)定供應(yīng)多種類型的碳化硅襯底，以滿足不同客戶群體的多樣化需求。
我們的產(chǎn)品線涵蓋了4H-N型、6H-N型、4H/6H-P型、SEMI標(biāo)準(zhǔn)型、HPSI（高純度單晶襯底）以及3C（立方碳化硅）等多種碳化硅襯底材料。
知明能夠穩(wěn)定供應(yīng)多種類型的碳化硅襯底材料，以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)滿足客戶的多樣化需求。我們期待與各界合作伙伴攜手共進，共同推動碳化硅材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。


知明碳化硅襯底 4H/6H-N型



 

知明碳化硅襯底 4H/6H-P型
 



知明碳化硅襯底 SEMI型
 



 

知明碳化硅襯底 3C型
 

 

市場與應(yīng)用


知明科技的4H-N型碳化硅襯底產(chǎn)品已獲得國內(nèi)外眾多客戶的認可，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：


 
電力電子：
用于制造高效率、高功率的電力電子器件，如IGBT、MOSFET等，顯著提升電力系統(tǒng)的能效和可靠性。



射頻通信：
在5G通信、雷達等射頻器件中發(fā)揮重要作用，滿足高頻、高功率的應(yīng)用需求。



光電子：
應(yīng)用于LED、激光器等光電子器件，提高發(fā)光效率和器件壽命。

 


 
 

知明優(yōu)勢
 

  • 技術(shù)創(chuàng)新：知明科技持續(xù)加大研發(fā)投入，與多所高校和科研機構(gòu)合作，不斷突破技術(shù)瓶頸，推動產(chǎn)品性能的提升。
  • 品質(zhì)保障：建立完善的質(zhì)量管理體系，從原料采購到生產(chǎn)加工，每一個環(huán)節(jié)都嚴(yán)格把控產(chǎn)品質(zhì)量。
  • 客戶服務(wù)：以客戶需求為導(dǎo)向，提供定制化產(chǎn)品和服務(wù)，快速響應(yīng)客戶反饋，為客戶提供全方位的支持。

     

 
 

知明愿景


隨著新能源汽車、可再生能源、5G通信等新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對高性能碳化硅襯底材料的需求將持續(xù)增長。知明將繼續(xù)秉持創(chuàng)新精神，加大技術(shù)研發(fā)投入，不斷提升產(chǎn)品性能和生產(chǎn)效率，為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)，助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。