知明藍(lán)寶石長晶技術(shù)：

上海知明鑫材料科技有限公司作為藍(lán)寶石晶體CZ、KY、EFG 生長爐（90-400kg）的供應(yīng)商，致力于為客戶提供高品質(zhì)的藍(lán)寶石生長設(shè)備。我們的生長爐設(shè)備采用先進(jìn)的技術(shù)和精密的控制系統(tǒng)，適用于高質(zhì)量藍(lán)寶石晶體的生長，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、LED、光學(xué)及其他高科技領(lǐng)域。作為設(shè)備供應(yīng)商，我們通過與知名制造商合作，為客戶提供高效且可靠的藍(lán)寶石生長解決方案，滿足不同客戶的需求。

隨著藍(lán)寶石在半導(dǎo)體、LED照明和光學(xué)材料等高科技領(lǐng)域的需求日益增加，藍(lán)寶石生長設(shè)備的市場也在不斷擴(kuò)展。上海知明鑫材料科技有限公司憑借在全球市場的采購網(wǎng)絡(luò)，能夠為客戶提供優(yōu)質(zhì)的設(shè)備，同時提供專業(yè)的售后服務(wù)，確保設(shè)備的順利運行和高效產(chǎn)出。在藍(lán)寶石產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的背景下，我們將繼續(xù)為客戶提供更具競爭力的產(chǎn)品和服務(wù)，助力客戶在不斷變化的市場環(huán)境中獲得成功。
 

知明藍(lán)寶石生長爐解決方案：

知明發(fā)展
 

KY藍(lán)寶石長晶技術(shù)自2000年以來經(jīng)歷了顯著的發(fā)展，特別是在晶體重量和尺寸的逐步增大方面。初期，KY藍(lán)寶石晶體的重量通常在幾十公斤左右，尺寸相對較小，適用于一些精密小型應(yīng)用。隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場需求的增加，藍(lán)寶石晶體的重量逐漸增加，生長爐的尺寸也從最初的幾十公斤發(fā)展到90-400kg的大型生長爐，晶體尺寸逐步擴(kuò)大至超過10英寸，滿足了半導(dǎo)體、LED和光學(xué)等領(lǐng)域?qū)Υ蟪叽纭⒏哔|(zhì)量藍(lán)寶石晶體的需求。
 

同時，CZ法的藍(lán)寶石長晶技術(shù)也在不斷進(jìn)步。自上世紀(jì)90年代初期以來，CZ法生長的藍(lán)寶石晶體主要用于小尺寸和低端應(yīng)用，但隨著設(shè)備技術(shù)的提升，CZ法也開始逐步支持更大尺寸的晶體生長。如今，CZ法廣泛應(yīng)用于LED基板和其他低到中端應(yīng)用領(lǐng)域，晶體重量可達(dá)到150kg左右，雖然在光學(xué)質(zhì)量和晶體均勻性上相比KY法略遜一籌，但在生產(chǎn)效率和成本上具有明顯優(yōu)勢。
 

EFG法則主要以其在光學(xué)領(lǐng)域的精度和高質(zhì)量著稱。該技術(shù)自20世紀(jì)90年代末期推出以來，始終保持在高端市場，尤其在光學(xué)窗、相機(jī)鏡頭和軍事防護(hù)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。EFG法支持較小但高純度的晶體生長，晶體尺寸通常在10英寸以下，雖然單次生長產(chǎn)量較低，但其在光學(xué)透明度、折射率一致性及缺陷控制方面的表現(xiàn)非常出色。
 

上海知明鑫材料科技有限公司緊跟行業(yè)發(fā)展步伐，不僅提供先進(jìn)的藍(lán)寶石生長設(shè)備，還具備自主技術(shù)，能夠支持超大型藍(lán)寶石晶體的生長，確保為客戶提供高效、高質(zhì)量的生長解決方案。通過持續(xù)優(yōu)化技術(shù)和設(shè)備，知明在藍(lán)寶石長晶技術(shù)領(lǐng)域不斷推動創(chuàng)新與發(fā)展，滿足半導(dǎo)體、LED、光學(xué)等多個高端行業(yè)的需求。
 

2、知明藍(lán)寶石生長爐

規(guī)格：

• 藍(lán)寶石晶體重量：30 - 400 kg
• 過程高度自動化
• 專用適應(yīng)性軟件
• 電阻加熱
• 工作氣氛：真空
• 真空度，托：2*10^-6
• 所需面積，平方米：12-15
• 重量，公斤：3000（根據(jù)實際設(shè)計可能有所增加）
• 功率，千瓦：100-200

技術(shù)階段：
 

加載坩堝：
 

• 將原料放入坩堝中，為后續(xù)的晶體生長做好準(zhǔn)備。
• 抽空工作空間至殘余壓力6x10^-5托；
• 在真空環(huán)境下進(jìn)行藍(lán)寶石的生長過程，確保無污染氣體影響晶體的生長。

將原材料加熱至2100攝氏度并熔化：
 

• 加熱過程通過電阻加熱將藍(lán)寶石原材料熔化，適應(yīng)不同的生長方法。
• CZ法：在加熱過程中，控制溫度梯度和晶體的生長速度，通常用于小到中型藍(lán)寶石的生長，晶體結(jié)構(gòu)較為均勻，適用于LED和低到中端應(yīng)用。
• KY法：采用更精細(xì)的溫度控制，使得晶體質(zhì)量更加穩(wěn)定，適用于大尺寸藍(lán)寶石的生長，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、LED及光學(xué)領(lǐng)域。
• EFG法：該方法采用更高精度的溫控和真空度控制，適合生長高純度、高質(zhì)量的小尺寸藍(lán)寶石，特別應(yīng)用于高精密光學(xué)領(lǐng)域。

播種：

• 在適當(dāng)?shù)臏囟认?，將種晶加入熔融原料中，以開始晶體生長過程。
• CZ法：采用相對簡單的播種方法，通過晶體的逐漸長大形成穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)。
• KY法：播種技術(shù)較為精細(xì)，確保更大尺寸晶體的均勻生長。
• EFG法：采用精確的播種技術(shù)，確保晶體的均勻性和光學(xué)性能。

以設(shè)定速度降低功率：

• 控制生長過程中的冷卻速率，以確保晶體的質(zhì)量。
• CZ法：冷卻過程較為迅速，適用于中低端應(yīng)用的快速生產(chǎn)。
• KY法：冷卻速度更加平穩(wěn)，確保較大的晶體尺寸和較低的缺陷率。
• EFG法：冷卻過程極為緩慢，確保晶體的純度和光學(xué)質(zhì)量

3、知明藍(lán)寶石生長爐成果檢驗
 

符合晶體結(jié)構(gòu)和缺陷標(biāo)準(zhǔn)

• 晶體結(jié)構(gòu)完整性：KY法生長的藍(lán)寶石晶體應(yīng)保持完整的晶體結(jié)構(gòu)，無明顯裂紋、氣泡、內(nèi)含物、位錯等缺陷。位錯密度通常要求在低于 10^4 位錯/平方厘米 的水平。
   

• 內(nèi)含物和氣泡：晶體內(nèi)不允許有較大內(nèi)含物或氣泡，尤其是應(yīng)用于光學(xué)或高精度半導(dǎo)體領(lǐng)域時。晶體的透明度應(yīng)非常高，無明顯污染物。
   

• 表面缺陷：表面應(yīng)無裂紋、劃痕、色斑等外觀缺陷，表面應(yīng)平整光滑。

符合光學(xué)性能標(biāo)準(zhǔn)

• 透光率：KY法生長的藍(lán)寶石通常用于高光學(xué)性能要求的應(yīng)用，因此透光率必須符合標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)寶石的透光率在紫外光、可見光、紅外光波段應(yīng)達(dá)到較高水平。特別是在 紫外光波段，其透光率應(yīng)超過 80%-90%，在可見光和紅外波段的透光率也應(yīng)保持較高。
   

• 折射率：藍(lán)寶石的標(biāo)準(zhǔn)折射率約為 1.76，折射率應(yīng)在規(guī)定范圍內(nèi)，并且在不同的波長下保持穩(wěn)定。
   

• 顏色一致性：藍(lán)寶石晶體應(yīng)具有一致的透明性，無明顯色差或瑕疵。

符合化學(xué)成分標(biāo)準(zhǔn)

• 純度要求：藍(lán)寶石主要由 鋁（Al） 和 氧（O） 組成，其他元素（如鐵、鈦、鎂等）含量必須控制在非常低的水平。藍(lán)寶石的雜質(zhì)含量通常需控制在 0.1% 以下，以保證其光學(xué)和機(jī)械性能。
   

• 金屬雜質(zhì)：尤其是對用于半導(dǎo)體和LED基板的藍(lán)寶石，其雜質(zhì)含量要求特別嚴(yán)格，特別是 鐵、鈦、鎂 等元素的含量要保持在極低的水平。
   

• 表面清潔度：藍(lán)寶石表面應(yīng)清潔無塵，尤其是用于光學(xué)和半導(dǎo)體應(yīng)用時，表面污染物（如油脂、灰塵等）必須去除。
   

機(jī)械性能標(biāo)準(zhǔn)

• 硬度：藍(lán)寶石的摩氏硬度為 9，是非常堅硬的材料。硬度測試是評估藍(lán)寶石機(jī)械性能的重要指標(biāo)。
   

• 抗壓強(qiáng)度：對于防彈玻璃或高功率光學(xué)應(yīng)用，藍(lán)寶石的抗壓強(qiáng)度至關(guān)重要。KY法生長的藍(lán)寶石應(yīng)能承受高壓環(huán)境而不易碎裂。
   

• 抗劃痕能力：藍(lán)寶石的高硬度使其具有非常強(qiáng)的抗劃痕能力。標(biāo)準(zhǔn)要求藍(lán)寶石的表面在高強(qiáng)度摩擦下不易留下劃痕。
  
   

4、知明藍(lán)寶石生長爐展示