案例研究：知明在新型4H/6H-P 3C-N SiC襯底上的突破
發(fā)布時(shí)間：2025-02-05
案例研究：知明在新型4H/6H-P 3C-N SiC襯底上的突破
知明一直走在碳化硅（SiC）晶圓和襯底創(chuàng)新的前沿，以提供高性能的6H-SiC和4H-SiC襯底而聞名，這些襯底是先進(jìn)電子設(shè)備發(fā)展不可或缺的一部分。為了滿足高功率和高頻應(yīng)用中對(duì)更高性能材料日益增長(zhǎng)的需求，知明推出了4H/6H-P 3C-N SiC襯底，擴(kuò)大了其產(chǎn)品范圍。這款新產(chǎn)品將傳統(tǒng)的4H/6H多型SiC襯底與創(chuàng)新的3C-N SiC薄膜相結(jié)合，代表了重大的技術(shù)飛躍，為下一代器件提供了新的性能和效率水平。現(xiàn)有產(chǎn)品概述：6H-SiC和4H-SiC襯底
關(guān)鍵特性晶體結(jié)構(gòu)：6H-SiC和4H-SiC都具有六方晶體結(jié)構(gòu)。6H-SiC具有稍低的電子遷移率和更窄的帶隙，而4H-SiC具有更高的電子遷移率和更寬的帶隙，為3.2 eV，適用于高頻，高功率應(yīng)用。
導(dǎo)電性：有n型和半絕緣兩種選擇，可靈活滿足各種設(shè)備需求。
導(dǎo)熱性：這些襯底的導(dǎo)熱性范圍為3.2至4.9 W/cm·K，這對(duì)于高溫環(huán)境中的散熱至關(guān)重要。
機(jī)械強(qiáng)度：基材具有9.2的莫氏硬度，在要求苛刻的應(yīng)用中提供堅(jiān)固性和耐久性。
典型用途：通常用于電力電子，高頻設(shè)備和需要耐高溫和輻射的環(huán)境。
雖然6H-SiC和4H-SiC受到高度重視，但在特定的高功率、高溫和高頻場(chǎng)景下，它們會(huì)受到一定的限制。諸如缺陷率、有限的電子遷移率和更窄的帶隙等問(wèn)題限制了它們?cè)谙乱淮鷳?yīng)用中的有效性。市場(chǎng)越來(lái)越需要性能更好、缺陷更少的材料，以確保更高的運(yùn)行效率。
新產(chǎn)品創(chuàng)新：4H/6H-P 3C-N SiC襯底
為了克服其早期SiC襯底的局限性，知明開(kāi)發(fā)了4H/6H-P 3C-N SiC襯底。這種新型產(chǎn)品利用了3C-N SiC薄膜在4H/6H多型襯底上的外延生長(zhǎng)，提供了增強(qiáng)的電子和機(jī)械性能。
知明碳化硅襯底 4H/6H-P型
關(guān)鍵技術(shù)改進(jìn)多型和薄膜集成：采用化學(xué)氣相沉積（CVD）在4H/6H襯底上外延生長(zhǎng)3C-SiC薄膜，顯著減少了晶格錯(cuò)配和缺陷密度，從而提高了材料的完整性。
增強(qiáng)的電子遷移率：與傳統(tǒng)的4H/6H襯底相比，3C-SiC薄膜提供了優(yōu)越的電子遷移率，使其成為高頻應(yīng)用的理想選擇。
改進(jìn)的擊穿電壓：測(cè)試表明，新的基板提供顯著更高的擊穿電壓，使其更適合功率密集型應(yīng)用。
缺陷減少：優(yōu)化的生長(zhǎng)技術(shù)最大限度地減少晶體缺陷和位錯(cuò)，確保在具有挑戰(zhàn)性的環(huán)境中長(zhǎng)期穩(wěn)定。
光電性能：3C-SiC薄膜還引入了獨(dú)特的光電特性，特別適用于紫外線探測(cè)器和各種其他光電應(yīng)用。
知明碳化硅襯底 3C-N型
新型4H/6H-P 3C-N SiC襯底的優(yōu)點(diǎn)
更高的電子遷移率和擊穿強(qiáng)度：3C-N SiC薄膜確保了高功率，高頻器件的卓越穩(wěn)定性和效率，從而延長(zhǎng)了使用壽命和更高的性能。
改進(jìn)的導(dǎo)熱性和穩(wěn)定性：具有增強(qiáng)的散熱能力和在高溫下（超過(guò)1000°C）的穩(wěn)定性，基板非常適合高溫應(yīng)用。
擴(kuò)展的光電應(yīng)用：襯底的光電特性拓寬了其應(yīng)用范圍，使其成為紫外傳感器和其他先進(jìn)光電器件的理想選擇。
增加化學(xué)耐久性：新的基材具有更強(qiáng)的抗化學(xué)腐蝕和氧化能力，這對(duì)于在惡劣的工業(yè)環(huán)境中使用至關(guān)重要。
應(yīng)用領(lǐng)域4H/6H-P 3C-N SiC襯底由于其先進(jìn)的電學(xué)、熱學(xué)和光電子特性，非常適合廣泛的尖端應(yīng)用：
電力電子：其優(yōu)越的擊穿電壓和熱管理使其成為高功率器件（如mosfet， igbt和肖特基二極管）的首選基板。
射頻和微波器件：高電子遷移率確保了高頻射頻和微波器件的卓越性能。
紫外探測(cè)和光電子：3C-SiC的光電特性使其特別適用于紫外探測(cè)和各種光電傳感器。
結(jié)語(yǔ)知明推出的4H/6H-P 3C-N SiC晶體襯底標(biāo)志著SiC襯底材料的重大技術(shù)進(jìn)步。這種創(chuàng)新產(chǎn)品具有增強(qiáng)的電子遷移率，降低的缺陷密度和提高的擊穿電壓，能夠很好地滿足功率，頻率和光電子市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)的需求。它在極端條件下的長(zhǎng)期穩(wěn)定性也使其成為一系列應(yīng)用的高度可靠的選擇。
知明鼓勵(lì)其客戶采用4H/6H-P 3C-N SiC襯底，以利用其尖端的性能能力。該產(chǎn)品不僅滿足下一代設(shè)備的嚴(yán)格要求，還幫助客戶在快速發(fā)展的市場(chǎng)中獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
產(chǎn)品推薦-支持定制的設(shè)計(jì)作品；
-立方晶體（3C SiC），由SiC單晶制成；
-硬度高，莫氏硬度達(dá)9.2，僅次于金剛石；
-優(yōu)異的導(dǎo)熱性，適用于高溫環(huán)境。
寬帶隙特性，適用于高頻、大功率電子器件。
4英寸3C-N型SiC襯底，碳化硅襯底厚350um
